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晶圆 > FRD芯片 > HER系列(ASCUT)
 
Part Number Size Design Electrical Parameters
A
(mil)
B
(mil)
C
(μm)
D
(μm)
VF@IF
(V)
IF
(A)
VRRM
(V)
IR(μA)
@VRRM
TRR@RG-1
(ns)
HTIR@TA=125℃
(μA)
HER508G120 120±2 94±1 240±20 20±5 1.68 5 1000 1.5 75 120
 
分立器件 > 二极管 > 超高效整流二极管
 
Part Number Package Max.
Reverse
Voltage
Max.Aver.
Rect.Current
Peak Fwd.
Surge Current
Max.Fwd.Voltage
@25℃&Rated lo
Maximum Reverse
Current@Rated VRM&Tc
Maximum
Recovery Time
Typical Thermal
Resistance
Typical Junction
Capacit.
Operating
Temp.Range
VRM(V) IO(A) IFSM(A) Rated lo(A) VF(V) IR@25℃(uA) IR@100℃(uA) Trr(ns) (℃/W) CJ(PF) TJ(℃)
HER508G DO-201AD 1000 5 150 5 1.7 2.5 150 75 20 60 -55~+150
 
 
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